Stanovte spínací a rozpínací časy předložených vzorků tranzistorů a jejich závislost
na úrovni budicího signálu.
Stanovte velikost náboje řídicí elektrody u tranzistorů MOSFET a IGBT.
Dále určete jeho závislost na napětí řídicí elektrody.
Měřicí pracoviště
Schéma zapojení měřicího pracoviště
td
doba zpoždění
tr
doba nárůstu
ton
doba zapnutí
ts
doba přesahu
tf
doba poklesu
toff
doba vypnutí
Definice spínacích časů
Měřené součástky
1.
bipolár
KUY12
2.
MOSFET
IRF740
3.
IGBT
GT20J101
Parametry měřených součástek vyhledejte v katalogu.
Postup měření
Měření proveďte pomocí předloženého přípravku. Proud báze regulujte pomocí výstupního napětí generátoru.
Velikost proudu báze a velikost proudu kolektorem tranzistoru lze zjistit přepočtem z hodnot úbytku napětí
na příslušných rezistorech. Spínací a rozpínací časy měřte pomocí osciloskopu. Náběžnou a setupnou
hranu budicího signálu považujeme za velmi krátkou.
Synchronizujeme-li osciloskop na náběžnou hranu budicího signálu, měříme dobu sepnutí tranzistoru.
Synchronizací na sestupnou hranu budícího signálu měříme dobu rozepnutí.
Doby odečítáme dle definice, tj. pro 10% a 90% úrovně signálu.
Velikost náboje řídicí elektrody u tranzistorů MOSFET a IGBT lze stanovit integrací proudu který do hradla
teče během zapínacího procesu.
Doplňující informace
Vliv záporného proudu báze na vypínací proces bipolárního tranzistoru (BJT)
Při záporném proudu IB dochází k rychlejšímu rozepnutí tranzistoru (čárkovaně)
Legenda:1 - napětí drain proti zemi, přes dělič 1:40, 2 - napětí výstupu generátoru proti zemi,
3 - napětí gate proti zemi, 4 - napětí generátoru proti napětí gate.
